腐蚀在铝合金部分腐蚀中和点蚀相同，也是一种常见的腐蚀现象。这种腐蚀是沿着晶界或许在其近旁发作，所以称之为腐蚀。关于腐蚀的成因，广泛认为是由晶界与相邻晶粒之间的电位差构成的。以AI-Cu-Mg合金为例，在时效脱溶之后，晶界有一条无堆积带，含Cu较少，电位较负，构成阳极相。晶粒内含Cu较高，电位较正，构成了阴极相。在腐蚀进程中，电位较负的贫Cu区将被优先腐蚀，并跟着铝的溶解，晶粒中孤立的Cu也随之进人溶液，尤其是阴极相中铝的溶解使Cu直接进人溶液，生成Cu2十。由于Cu2+的氧化恢复电位很正（相关于铝的电位），所以会在铝表面的阴极区恢复分出，这种分出进程称之为二次堆积。
由于这种二次堆积行为，使铝在腐蚀介质中又构成新的富Cu阴极相，使上一腐蚀进程重复进行。这一现象对铝的维护来说要极力防止。但在铝合金表面纹理蚀刻中，腐蚀同样是纹理的又一成因，特别是具有针状晶粒结构的材料关于丝状纹理的构成更为重要。为到达这一目的，能够在腐蚀介质中加人适量的氧化恢复电位较正的金属离子或氧化性阴离子，以到达对铝合金表面丝状纹理蚀刻强化的目的。但这只能对那些具有丝状纹理腐蚀倾向的合金材料才有明显效果。也有材料介绍在有抑制剂的电解质溶液中，通过外加电场的效果对铝合金表面进行丝状纹理蚀刻。
通过有限的实验发现，关于那些不具有丝状纹理腐蚀倾向的合金材料效果并不明显，若要广泛用于批量生产，还有待于进一步研讨。在蚀刻进程中，由于电位差的缘故，有可能是沿晶粒的边界先蚀刻，然后整个晶粒被蚀刻溶解。所以在晶粒标准较大的材料上进行纹理蚀刻更简略获得粗糙度高的纹理效果。但过大的晶粒标准经蚀刻后将会影响到材料的强度，特别是经较长时间的蚀刻，其影响程度更大。所以在进行纹理蚀刻时，控制蚀刻时间（也就是控制对材料的蚀刻量）是很重要的。
