通常所指蚀刻也称光化学蚀刻（photochemical etching），指通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，使用两个阳性图形通过从两面的化学研磨达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。化学蚀刻是很有针对性的，是专指受控腐蚀，是金属通过化学方法进行一种可以控制的加工方法。
随着电子技术的发展，越来越需要许多几何形状复杂、精密度要求高而机械加工难以实现的超薄形工件。而光化学蚀刻方法却易达到部件平整、无毛刺、图形复杂的要求，且加工周期短、成本低。它的化学原理是利用三氯化铁水溶液作为腐蚀剂与金属反应：
2FeCl3 ＋ Fe＝ 2FeCl2 
2FeCl3 ＋ Cu＝ CuCl2 ＋ 2FeCl2

在氯离子和氧化剂共存的条件下就可以发生金属腐蚀。FeCl3作为一种较强的氧化剂，其腐蚀作用取决于Fe3 +＋e→Fe2+反应的氧化还原电位（0.77V），加之溶液中含有大量的氯离子，且 PH 值低、酸性强，所以对金属有强烈的腐蚀倾向。在更多的场合所指的都是金属与周围环境介质接触，并与之发生化学或电化学作用而引起的破坏、变质所导致的金属化学损失行为。蚀刻液中的蚀刻过程，首先是在金属零件表面发生晶粒的溶解作用；其次在晶界上也发生溶解作用，晶界是以不同于晶粒的溶解速度发生溶解作用的。金属表面存在着电位差，电位正的地方得到暂时的保护，电位负的地方被优先蚀刻。
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